收藏本站
参数资料
型号： 2SC5651
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件页数： 19/24页
文件大小： 95K
代理商： 2SC5651
Data Sheet P15244EJ1V0DS
4
2SC5651
VCE = 1 V
DC
Current
Gain
h
FE
Collector Current IC (mA)
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
1 000
100
10
110
0.1
100
VCE = 2 V
DC
Current
Gain
h
FE
Collector Current IC (mA)
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
1 000
100
10
110
0.1
100
相关PDF资料
PDF描述
2SC5651-T1 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5668-FB-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5668-FB-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5668-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5668-FB-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC565400L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5654G0L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5658 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:150 MA, 50 V, NPN, SI, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VMT3, 3 PIN
2SC5658GT2LR 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTER 2SC5658GT2LR
2SC5658M3T5G 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*