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参数资料
| 型号： | 2SC5652-T1 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | 2SC5652-T1 |
Data Sheet P15245EJ1V0DS
2
2SC5652
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 5 V, IE = 0 mA
–
100
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VBE = 1 V, IC = 0 mA
–
100
nA
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 3 V, IC = 10 mA
75
–
140
–
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product
fT
VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz
10.0
12.0
–
GHz
Insertion Power Gain
S21e2 VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz
7.0
8.5
–
dB
Noise Figure
NF
VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz,
ZS = Zopt
–1.5
2.5
dB
Reverse Transfer Capacitance
Cre
Note 2
VCB = 3 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz
–
0.4
0.7
pF
Notes 1. Pulse measurement: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
2. Collector to base capacitance measured using capacitance meter (self-balancing bridge method) when
the emitter is connected to the guard pin
hFE CLASSIFICATION
Rank
EB
FB
Marking
E
hFE Value
75 to 110
95 to 140
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5652-T1FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC5653-EB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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