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参数资料
型号： 2SC5658T2LQ
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： VMT3, 3 PIN
文件页数： 1/4页
文件大小： 171K
代理商： 2SC5658T2LQ
1/3
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.04 - Rev.B
ROHM : VMT3
2SC5658
ROHM : SPT
EIAJ : SC-72
2SC1740S
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
3
±
0.2
(15Min.)
4
±0.2
2
±0.2
0.45
0.5
0.45
5
(1) (2) (3)
0.05
+0.15
0.05
2.5+0.4
0.1
3Min.
* Denotes hFE
2SC2412K
2SC4617
ROHM :
EMT3
EIAJ : SC-75A
JEDEC : SOT-416
Abbreviated symbol: B*
ROHM : UMT3
EIAJ : SC-70
JEDEC : SOT-323
2SC4081
Abbreviated symbol: B*
(1) Base
(2) Emitter
(3) Collector
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
JEDEC : SOT-346
Abbreviated symbol: B*
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
Each lead has same dimensions
0.8
0.15
0~0.1
0.3Min.
1.1
( 2
)
( 1
)
2.8
1.6
0.4
( 3
)
1.9
2.9
0.95
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
Each lead has same dimensions
1.25
2.1
0.3
0.15
0~0.1
0.1Min.
( 3
)
0.9
0.7
0.2
0.65
( 2
)
2.0
1.3
( 1
)
0.65
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
0.7
0.15
0.1Min.
0.55
0~0.1
0.2
1.6
1.0
0.3
0.8
(2)
0.5
(3)
0.2
(1)
0~0.1
(3)
0.32
0.8
1.2
0.13
0.5
0.22
0.4
1.2
0.8
0.2
0.15Max.
0.2
(2)
(1)
General purpose transistor (50V, 0.15A)
2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 / 2SC5658 / 2SC1740S
Features
Dimensions (Unit : mm)
1.Low Cob. Cob=2.0pF (Typ.)Cob=2.0pF (Typ.)
2.Complements the 2SA1037AK / 2SA1576A /
2SA1774H / 2SA2029 / 2SA933AS.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
Absolute maximum (Ta=25
°C)
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Parameter
VCBO
VCEO
VEBO
PC
Tj
Tstg
60
V
A
W
°C
50
7
0.15
IC
0.2
0.15
0.3
2SC2412K, 2SC4081
2SC1740S
2SC4617, 2SC5658
150
55 to +150
Symbol
Limits
Unit
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Collector-emitter saturation voltage
Output capacitance
Parameter
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
fT
Cob
Min.
60
50
7
120
180
2
0.1
560
0.4
3.5
VIC=50
A
IC=1mA
IE=50
A
VCB=60V
VEB=7V
VCE=6V, IC=1mA
IC/IB=50mA/5mA
VCE=12V, IE=
2mA, f=100MHz
VCE=12V, IE=0A, f=1MHz
V
A
V
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Transition frequency
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参数描述
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2SC5658T2LS 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5659T2LN 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 25V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5659T2LP 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 25V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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