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参数资料
| 型号： | 2SC5659T2LN |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | VMT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | 2SC5659T2LN |
2SC5659 / 2SC4618 / 2SC4098 /
Transistors
2SC2413 / 2SC2058S
High-frequency Amplifier Transistor
(25V, 50mA, 300MHz)
2SC5659 / 2SC4618 / 2SC4098 / 2SC2413K /
2SC2058S
!
Features
1) Low collector capacitance. (Cob : Typ. 1.3pF)
2) Low rbb, high gain, and excellent noise characteristics.
!
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
40
25
5
50
0.3
150
55~+150
Unit
V
mA
0.2
0.15
2SC2058S
2SC4098, 2SC2413K
2SC5659, 2SC4618
W
C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector
power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
!
Packaging specifications and hFE
Type
2SC4618
EMT3
NPQ
TL
3000
2SC4098
UMT3
NPQ
T106
3000
2SC2413K 2SC2058S
SMT3
NPQ
T146
3000
SPT
P
A
2SC5659
VMT3
NPQ
T2L
8000
A
TP
A
A
5000
Denotes hFE
Package
hFE
Code
Basic ordering unit
(pieces)
Marking
!
External dimensions (Units : mm)
2SC4618
ROHM : EMT3
EIAJ : SC-75A
(3) Collector(Drain)
(1) Emitter(Source)
(2) Base(Gate)
0.7
0.15
0.1Min.
0.55
0to0.1
0.2
1.6
1.0
0.3
0.8
(2)
0.5
(3)
0.2
(1)
2SC4098
ROHM : UMT3
EIAJ : SC-70
(3) Collector(Drain)
(1) Emitter(Source)
(2) Base(Gate)
Each lead has same dimensions
1.25
2.1
0.3
0.15
0to0.1
0.1to0.4
( 3
)
0.9
0.7
0.2
0.65
( 2
)
2.0
1.3
( 1
)
0.65
2SC2413K
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
(3) Collector(Drain)
(1) Emitter(Source)
(2) Base(Gate)
Each lead has same dimensions
0.8
0.15
0to0.1
0.3to0.6
1.1
( 2
)
( 1
)
2.8
1.6
0.4
( 3
)
2.9
1.9
0.95
2SC5058S
ROHM : SPT
EIAJ : SC-72
0.45
2.5
(1) (2) (3)
(3) Base
(1) Emitter
(2) Collector
( 15Min.
)
5
3
3Min.
Taping specifications
0.45
0.5
42
2SC5659
ROHM : VMT3
(1) Base
(3) Collector
(2) Emitter
0to0.1
(3)
0.32
0.8
1.2
0.13
0.5
0.22
0.4
1.2
0.8
0.2
0.15Max.
0.2
(2)
(1)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2SC5661T2LP | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 20V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5661T2L-P | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SC5662T2LN | 功能描述:两极晶体管 - BJT VMT3 NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5662T2LP | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 11V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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