参数资料
型号: 2SC5696
英文描述: Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
文件页数: 2/4页
文件大小: 42K
代理商: 2SC5696
2SC5637
No.6465–2/4
Switching Time Test Circuit
+
50
INPUT
OUTPUT
VR
RB
RL=33.3
VCC=200V
100
F
470
F
VBE=--2V
PW=20
s
D.C.
≤1%
IB1
IB2
VCE(sat) -- IC
hFE -- IC
6
7
4
5
2
3
1
10
8
9
0
1.0
10
7
2
3
5
7
2
3
5
7
5
7
3
2
0.1
1.0
7
3
2
3
5
7
5
7
8
3
4
5
6
2
1
11
9
10
0
01
2
3
4
5
6
7
8
9
10
7
0.1
1.0
10
23
5
7
23
2
5
7
1.0
10
0.1
23
5
7
3
2
25
7
0
0.2
0.4
0.6
1.0
0.8
1.2
1.4
IC -- VCE
IC -- VBE
IT01753
IT01754
IT01755
IT01756
IB=0
0.2A
0.4A
0.6A
0.8A
1.0A
1.2A
1.4A
1.6A
1.8A
2.0A
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
Ta=120°C
25°C
--40°C
Ta=--40
°C
120
°C
25
°C
VCE=5V
IC / IB=5
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
V
Collector Current, IC –A
Continued from preceding page.
r
e
t
e
m
a
r
a
Pl
o
b
m
y
Ss
n
o
i
t
i
d
n
o
C
s
g
n
i
t
a
R
t
i
n
U
n
i
mp
y
tx
a
m
n
i
a
G
t
n
e
r
u
C
D
h E
F 1V E
C
I
,
V
5
=
C
A
1
=
0
20
3
h E
F 2V E
C
I
,
V
5
=
C
A
8
=
47
e
m
i
T
e
g
a
r
o
t
St g
t
s
IC
I
,
A
6
=
1
B
I
,
A
2
.
1
=
2
B
A
4
.
2
=
0
.
3s
e
m
i
T
ll
a
Ftf
IC
I
,
A
6
=
1
B
I
,
A
2
.
1
=
2
B
A
4
.
2
=
1
.
02
.
0s
相关PDF资料
PDF描述
2SC5699
2SC5663T2L TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-416VAR
2SC5704 Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SC5930 1000 mA, 285 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD0814A Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC5700 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5703(TE85L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
2SC5706-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-P-E 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2