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参数资料
| 型号： | 2SC5702 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MODIFIED SC-89, MFPAK-3 |
| 文件页数： | 1/15页 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | 2SC5702 |
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 14
2SC5702
Silicon NPN Epitaxial
High Frequency Amplifier / Oscillator
REJ03G0752-0200
(Previous ADE-208-1414)
Rev.2.00
Aug.10.2005
Features
High gain bandwidth product
fT = 8 GHz typ.
High power gain and low noise figure ;
PG = 13 dB typ., NF = 1.05 dB typ. at f = 900 MHz
Outline
1. Emitter
2. Base
3. Collector
1
3
2
RENESAS Package code: PUSF0003ZA-A
(Package name: MFPAK R )
Note:
Marking is “ZS-”.
*MFPAK is a trademark of Renesas Technology Corp.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
15
V
Collector to emitter voltage
VCEO
6
V
Emitter to base voltage
VEBO
1.5
V
Collector current
IC
50
mA
Collector power dissipation
Pc
80
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5702 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5702ZS-TL-E | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5706-TL | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5706-TL | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5706TP | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5703(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SC5706-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5706-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5706-P-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5706-P-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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