- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33418 > 2SC5720 SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC5720 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | 2-4E1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 156K |
| 代理商： | 2SC5720 |
2SC5720
2001-10-03
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC5720
MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS
STOROBO FLASH APPLICATIONS
Low Saturation Voltage:
VCE (sat) (1) = 0.25 V (max)
(IC = 3 A/IB = 60 mA)
Maximum Ratings (Ta
==== 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-Base voltage
VCBO
15
V
Collector-Emitter voltage
VCEO
10
V
Emitter-Base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
5
Collector current
Pulsed
ICP
9
A
Collector power dissipation
PC (Note1)
550
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note1: When a device is mounted on a glass epoxy board
(35 mm
× 30 mm × 1mm)
Electrical Characteristics (Ta
==== 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 15 V, IE = 0
0.1
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
0.1
A
Collector-Emitter breakdown voltage
V(BR)CEO
IC = 1 mA, IB = 0
10
V
hFE(1) (Note2) VCE = 1.5 V, IC = 0.5 A
700
2000
hFE(2) (Note2) VCE = 1.5 V, IC = 2 A
450
DC current gain
hFE(3) (Note2) VCE = 1.5 V, IC = 5 A
240
Collector-Emitter saturation voltage
VCE (sat)
(Note2)
IC = 3 A, IB = 60 mA
0.25
V
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
30
pF
Note2: Pulse test
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-4E1A
Weight: 0.13 g (typ.)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5730KT146R | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5730TLQ | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5736-T1FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5736-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5739P | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5720(TPE4,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape |
| 2SC57250SL | 功能描述:TRAN NPN HF 15VCEO 2.0A MINI 3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5729T106Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5729T106R | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5730KT146Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。