- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30572 > 2SC5741-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC5741-FB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | 2SC5741-FB |
Data Sheet PU10005EJ01V0DS
2
2SC5741
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 5 V, IE = 0 mA
–
100
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VBE = 1 V, IC = 0 mA
–
100
nA
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 1 V, IC = 5 mA
100
–
145
–
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product (1)
fT
VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
4.5
5.0
–
GHz
Gain Bandwidth Product (2)
fT
VCE = 1 V, IC = 15 mA, f = 2 GHz
5.5
6.5
–
GHz
Insertion Power Gain (1)
S21e2 VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
3.5
4.5
–
dB
Insertion Power Gain (2)
S21e2 VCE = 1 V, IC = 15 mA, f = 2 GHz
4.5
6.0
–
dB
Noise Figure
NF
VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz,
ZS = Zopt
–2.0
3.0
dB
Reverse Transfer Capacitance
Cre
Note 2
VCB = 0.5 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz
0.55
0.68
0.8
pF
Notes 1. Pulse measurement: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
2. Collector to base capacitance when the emitter grounded
hFE CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
TX
hFE Value
100 to 145
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5741-T1FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5745-T1FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5745-T1FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5745-T1FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5746-T3FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5748(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 900V 16A 3-Pin TO-3P(LH) |
| 2SC5750-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5750-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:3,000 |
| 2SC5750-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5751-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:16dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。