型号: | 2SC5751-T2 |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | THIN, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4 |
文件页数: | 1/18页 |
文件大小: | 211K |
代理商: | 2SC5751-T2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SC5751 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC5751 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC5751-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC5752-T1 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC5752FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SC5751-T2-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Cut Tape |
2SC5752-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.7dB @ 2GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):75 @ 30mA,3V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
2SC5752-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.7dB @ 2GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):75 @ 30mA,3V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:3,000 |
2SC5753-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.7dB @ 2GHz 增益:13.5dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):75 @ 30mA,3V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
2SC5753-T2-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Cut Tape |