参数资料
型号: 2SC5751
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: THIN, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4
文件页数: 2/18页
文件大小: 211K
代理商: 2SC5751
Data Sheet P15657EJ1V0DS
8
2SC5751
VCE = 3 V, IC = 3 mA, ZO = 50
Frequency
S11
S21
S12
S22
K
MAG/MSG
(GHz)
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
(dB)
(deg.)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
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1.0
1.1
1.2
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1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
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170.2
166.7
163.2
159.9
156.2
153.2
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147.3
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2SC5751-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):6V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.7dB @ 2GHz 增益:16dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):75 @ 20mA,3V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1
2SC5751-T1-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5751-T2-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Cut Tape
2SC5752-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.7dB @ 2GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):75 @ 30mA,3V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:- 标准包装:1
2SC5752-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.7dB @ 2GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):75 @ 30mA,3V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:3,000