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参数资料
| 型号： | 2SC5751 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SUPER MINIMOLD PACKAGE-4 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | 2SC5751 |
2SD0874, 2SD0874A
2
SJC00197CED
VBE(sat) IC
hFE IC
fT IE
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
Cob VCB
Safe operation area
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
1.4
1.2
0.4
1.0
0.8
0.2
0.6
Copper plate at the collector
is more than 1 cm2 in area,
1.7 mm in thickness
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
Ambient temperature T
a (°C)
010
8
26
4
0
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
Ta
= 25°C
IB
= 10 mA
9 mA
8 mA
7 mA
6 mA
5 mA
4 mA
3 mA
2 mA
1 mA
Collector
current
I
C
(A
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
IC / IB
= 10
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (A)
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 10
Ta
= 25°C
25
°C
75
°C
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
Collector current I
C (A)
0.01
0.1
1
10
0
600
500
400
300
200
100
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
VCE
= 10 V
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
1
10
100
0
200
160
120
80
40
VCB
= 10 V
Ta
= 25°C
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current I
E (mA)
1
10
100
0
50
40
30
20
10
IE
= 0
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector-base voltage V
CB (V)
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
0.1
1
10
100
0.01
10
1
0.1
Single pulse
TC
= 25°C
t
= 1 s
DC
2SD0874
2SD0874A
ICP
IC
Collector
current
I
C
(A
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5751-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5752-T1 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5752FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5752-T1FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5752 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5751-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:16dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5751-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5751-T2-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Cut Tape |
| 2SC5752-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5752-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:3,000 |
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