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参数资料
| 型号： | 2SC5752-T1FB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SUPER MINIMOLD PACKAGE-4 |
| 文件页数： | 18/22页 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | 2SC5752-T1FB |
Data Sheet P15658EJ1V0DS
3
2SC5752
TYPICAL CHARACTERISTICS (Unless otherwise specified, TA = +25
°°°°C)
300
250
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
Total
Power
Dissipation
P
tot
(mW)
Ambient Temperature TA (C)
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
Mounted on Glass Epoxy PCB
(1.08 cm
2
× 1.0 mm (t) )
f = 1 MHz
Reverse
Transfer
Capacitance
C
re
(pF)
Collector to Base Voltage VCB (V)
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
01
4
5
3
26
1 000
100
10
1
0.1
10
100
DC
Current
Gain
h
FE
Collector Current IC (mA)
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
VCE = 3 V
VCE = 3 V
Collector
Current
I
C
(mA)
Base to Emitter Voltage VBE (V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
100
10
1
0.01
0.001
0.1
0.0001
0.7
0.6
0.5
0.8
0.9
1.0
Collector
Current
I
C
(mA)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
100
50
30
40
90
80
70
60
10
20
02
6
48
IB = 100 A
300 A
400 A
500 A
600 A
700 A
200 A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5752 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5753-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5753-T2FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5753-T2FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5774 | 10 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5753-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13.5dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5753-T2-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Cut Tape |
| 2SC5753-T2-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5754-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:5V 频率 - 跃迁:20GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:12dB 功率 - 最大值:735mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 100mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5754-T2-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
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