- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33419 > 2SC5825 300 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC5825 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 300 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-63, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | 2SC5825 |
2/3
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2010.09 - Rev.C
Data Sheet
2SC5825
Electrical characteristics (Ta=25
C)
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-base breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Corrector output capacitance
Turn-on time
Storage time
Fall time
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Condition
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE (sat)
hFE
fT
Cob
Ton
Tstg
Tf
1 Non repetitive pulse
2 See Switching charactaristics measurement cicuits
IC
=1mA
IC
=100μA
IE
=100μA
VCB
=40V
VEB
=4V
IC
=2A
IB
=200mA
VCE
=2V
IC
=100mA
VCE
=10V
IE
= 100mA
f
=10MHz
VCB
=10V
IE
=0mA
f
=1MHz
1
2
60
6
120
200
200
20
50
150
30
1.0
500
390
V
μA
mV
MHz
pF
ns
IC
=3A
IB1
=300mA
IB2
= 300mA
VCC 25V
hFE RANK
Q
120
270
R
180
390
Electrical characteristic curves
0.01
10
1
0.1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
SWITCHING
TIME
:
(ns)
Fig.1 Switching Time
Ta
=25°C
VCC
=25V
IC / IB
=10 / 1
Tstg
Tf
Ton
0.001
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
Fig.2 DC Current Gain vs.
Collector Current (
Ι)
Ta
=125°C
Ta
=25°C
Ta
= 40°C
VCE
=2V
0.001
100
10
1
0.1
0.01
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
Fig.3 DC Current Gain vs.
Collector Current (
ΙΙ)
Ta
=25°C
VCE
=5V
VCE
=3V
VCE
=2V
0.001
100
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.4 Collector-Emitter Saturation
Voltage vs.
Collector Current (
Ι)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE
(sat)
(V)
IC / IB
=10 / 1
Ta
=125°C
Ta
=25°C
Ta
= 40°C
0.001
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.5 Collector-Emitter Saturation
Voltage vs.
Collector Current (
ΙΙ)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE
(sat)
(V)
Ta
=25°C
IC / IB
=20 / 1
IC / IB
=10 / 1
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.6 Base-Emitter Saturation
Voltage vs.Collecter Current
BASE
EMITTER
SATURATION
VOLTAGE
:
V
BE
(sat)
(V)
0.001
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
IC / IB
=10 / 1
Ta
=125°C
Ta
=25°C
Ta
= 40°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5826TV2R | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5826TV2 | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5831 | 2 A, 55 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5850 | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5851FATL-E | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5825TLQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT 60V 3A NPN HIGH VOLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5825TLR | 功能描述:两极晶体管 - BJT 60V 3A NPN HIGH VOLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5826TV2Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT NPN 60V 3A 3PIN ATV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5826TV2R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT NPN 60V 3A 3PIN ATV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5832-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:NPN 55V 2A 1000 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL NPN 55V 55A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。