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参数资料
| 型号： | 2SC5858 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 22 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-21F2A, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | 2SC5858 |
Data Sheet D17807EJ3V0DS
4
2SK1591
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5868TLR | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5874STPR | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5886 | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5886 | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5890 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5858(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SC5859(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape |
| 2SC58630QL | 功能描述:TRANS NPN 300VCEO 70MA MINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5865 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, ROHM, TSMT3, |
| 2SC5865TL | 制造商:Rohm 功能描述:NPN 60V 1A 120 to 390 TSMT3 Cut Tape 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, ROHM, TSMT3, |
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