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参数资料
| 型号： | 2SC5957 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | 2SC5957 |
2SC5957M
No. A0152-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=10V, IC=1.2A
15
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
80
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=6A, IB=1.2A
0.8
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=6A, IB=1.2A
1.5
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=1mA, IE=0A
500
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=5mA, RBE=∞
400
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=1mA, IC=0A
7
V
Turn-ON Time
ton
IC=7A, IB1=1.4A, IB2=--2.8A, RL=28.6, VCC=200V
0.5
s
Storage Time
tstg
IC=7A, IB1=1.4A, IB2=--2.8A, RL=28.6, VCC=200V
2.5
s
Fall Time
tf
IC=7A, IB1=1.4A, IB2=--2.8A, RL=28.6, VCC=200V
0.3
s
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
7507-001
10.2
5.1
4.5
1.3
15.1
14.0
2.7
6.3
3.6
18.0
(5.6)
2.7
1.2
0.8
0.4
2.55
12
3
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-220
D.C.
≤1%
VR
RB
VCC=200V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
IB2
02468
10
13579
IC -- VCE
IT05069
0
2
4
6
8
10
1
3
5
7
9
IB=0mA
700mA
600mA
500mA
400mA
300mA
200mA
100mA
800mA
1000mA
900mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter ON-State Voltage, VBE(on) -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
1
3
4
5
6
8
7
IC -- VBE(on)
IT05153
VCE=5V
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5960-N | 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SC5980-TL | 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5980 | 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5980-TL | 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SC5964-S-TD-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5964-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5964-TD-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5966-CA | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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