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参数资料
| 型号： | 2SC5960 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-3PB, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | 2SC5960 |
2SC5960
No.7610-2/4
6
10
8
4
2
0
02
6
48
13
7
59
10
IC -- VCE
IT05057
1000mA
IB=0
300mA
200mA
100mA
400mA
500mA
600mA
5
9
7
3
1
700mA
800mA
900mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter ON-State Voltage, VBE(on) -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
IT05149
8
6
7
4
5
3
2
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.4
1.2
IC -- VBE(on)
VCE=5V
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
10
7
5
100
7
5
3
2
3
57
2
3
57
2
3
57
0.1
0.01
1.0
10
hFE -- IC
IT05151
VCE=5V
Ta=120°C
25°C
--40°C
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
0.1
0.01
1.0
5
3
2
7
5
3
2
7
3
25 7
3
25 7
3
25 7
1.0
0.01
0.1
10
VCE(sat) -- IC
IT05152
IC / IB=5
Ta= --40
°C
Ta=120
°C
120
°C
--40
°C
25
°C
25
°C
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
hFE1VCE=5V, IC=0.8A
20*
50*
DC Current Gain
hFE2VCE=5V, IC=4A
10
hFE3VCE=5V, IC=1mA
10
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=4A, IB=0.8A
0.8
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=4A, IB=0.8A
1.5
V
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=10V, IC=0.8A
15
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
50
pF
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=1mA, IE=0
500
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=5mA, RBE=∞
400
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=1mA, IC=0
7
V
Turn-On Time
ton
IC=5A, IB1=1A, IB2=--2A, RL=40, VCC=200V
0.5
s
Storage Time
tstg
IC=5A, IB1=1A, IB2=--2A, RL=40, VCC=200V
2.5
s
Fall Time
tf
IC=5A, IB1=1A, IB2=--2A, RL=40, VCC=200V
0.3
s
* : The hFE1 of the 2SC5960 is classified as follows.
Rank
M
N
hFE
20 to 40
30 to 50
Switching Time Test Circuit
D.C.
≤1%
VR
RB
VCC=200V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
IB2
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2SC5964-S-TD-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5964-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5964-TD-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5966-CA | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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