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参数资料
| 型号： | 2SC605(B)M |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | 2SC605(B)M |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC606(B)V | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC605(B)K | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6079 | 2000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6081 | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC6081 | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC606 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR |
| 2SC6060(Q) | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 230V 1A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC6060(STA4,Q) | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 230V 1A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC6061 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type |
| 2SC6061(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 120V 1A TSM 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor NPN 120V 1A hfe120-300 0.2us |
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