型号: | 2SC6077 |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
封装: | LEAD FREE, 2-10T1A, 3 PIN |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 269K |
代理商: | 2SC6077 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SD1136 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
2SD1410A | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD1420-EA | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1471-DT | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1478AR | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SC6078(TP,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape |
2SC6079 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type |
2SC6080 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 13A High-Speed Switching |
2SC6081 | 功能描述:TRANS NPN 50V 5A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |