参数资料
型号: 2SC6106-TL
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 4000 mA, 500 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: TP-FA, 3 PIN
文件页数: 4/4页
文件大小: 48K
代理商: 2SC6106-TL
2SC3515
2006-11-10
4
fT – IC
Collector current IC (mA)
hFE – IC
DC
cur
re
nt
gain
h
FE
Collector current IC (mA)
hFE – IC
DC
cur
re
nt
gain
h
FE
Collector current IC (mA)
VCE (sat) – IC
Col
lect
or
-e
m
itte
rs
a
tu
ra
tion
volta
g
e
V
CE
(
sa
t)
(
V
)
Collector current IC (mA)
VBE (sat) – IC
Ba
se-
emi
tte
rsa
tu
rati
on
v
oltag
e
V
BE
(
sa
t)
(
V
)
Collector current IC (mA)
T
ran
si
tion
fr
eq
ue
nc
y
f T
(M
Hz)
Reverse voltage VR (V)
Cib, Cob – VR
Co
llect
or
in
p
ut
c
apaci
tanc
e
C
ib
(p
F
)
Coll
ect
or
out
pu
tca
pa
cit
a
nce
C
ob
(p
F)
500
100
10
5
50
30
0.1
1
30
0.3
3
10
100
Common emitter
Ta
= 25°C
VCE = 10 V
5
1
3
300
500
100
10
5
50
30
0.1
1
30
0.3
3
10
100
Common emitter
VCE = 10 V
3
300
Ta
= 100°C
55
25
0.1
0.3
1
30
0.3
0.1
Common emitter
IC/IB = 10
0.05
3
10
0.5
1
Ta
= 100°C
25
55
3
100
0.03
0.1
3
1
100
30
0.3
0.5
1
0.3
3
10
5
10
Ta
= 55°C
25
100
Common emitter
IC/IB = 10
0.1
0.3
3
10
1
30
500
100
10
50
30
Common emitter
Ta
= 25°C
10
VCE = 20 V
5
300
0.1
10
1
0.3
1
30
100
50
3
5
10
30
100
3
300
Cib (IC = 0)
Cob (IE = 0)
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
相关PDF资料
PDF描述
2SC6114R 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6134 3 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC6144 10 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SC642A 1 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2SC790 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC6112 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Switching Regulator Applications
2SC6113 制造商:SANYO 功能描述:NPN 500V 15A 40 to 80 TO3PMLH Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS NPN 500V 15A TO-3PMLH 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SC6114 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small signal low frequency amplifier
2SC6114T2LQ 功能描述:TRANS NPN 50V 100MA VMN3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC6114T2LR 功能描述:TRANS NPN 50V 100MA VMN3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR