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参数资料
| 型号： | 2SC6114R |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | VMN3, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | 2SC6114R |
2SC6114
Transistors
2/3
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-base breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Output capacitance
Parameter
Symbol
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
Min.
50
5
120
130
1.0
0.1
0.3
390
VIC=1mA
IC=50
A
IE=50
A
VCB=50V
VEB=5V
IC/IB=25mA/2.5mA
VCE=6V, IC=2mA
VCE=10V, IE=
1mA, f=100MHz
VCE=10V, IE=0A, f=1MHz
V
A
V
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Transition frequency
hFE RANK
Rank
Q
R
hFE
120 to 270
180 to 390
Electrical characterristic curves
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
0.1
1
10
COLLECTOR
CURRENT
:
Ic
(
mA)
100
0.1
1
10
VCE=
6V
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (
V)
Ta=125C
25C
40C
Fig.2 DC current gain vs.
collector current (
Ι)
1000
100
10
0.1
1
10
100
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : IC (
mA)
Ta=25C
VCE= 6V
2V
Fig.3 DC current gain vs.
collector current (
ΙΙ)
1000
100
10
0.1
1
10
100
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : IC (
mA)
VCE=6V
Ta=125C
25C
40C
Fig.4 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
Ic/Ib=10/1
COLLECTOR CURRENT : IC (
mA)
COLLECTOR
EMITTER
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
Ta=125C
25C
40C
Fig.5 Collector output capacitance
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:
Cob
(
pF)
0.01
0.1
1
10
100
1
10
Ta=25C
f=1MHz
IE=
0A
Fig.6 Typical output characteristics
0
1
23456789 10
50
40
30
20
10
IB=50uA
IB=100uA
IB=150uA
IB=200uA
Ta=25C
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(
mA)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (
V)
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