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参数资料
| 型号： | 2SC6136 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 700 mA, 285 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 185K |
| 代理商： | 2SC6136 |
Data Sheet D18068EJ2V0DS
5
2SK3116B
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
R
DS(
on)
-Drain
to
S
ource
On
-state
Re
sistance
-
Ω
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
ID = 7.5 A
4.0 A
VGS = 10 V
Pulsed
Tch - Channel Temperature - °C
IF
–
Diode
Fo
rwa
rd
Cur
rent
-A
0.01
0.1
1
10
100
00.5
11.5
Pulsed
VGS = 10 V
0 V
VF(S-D) – Source to Drain Voltage - V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
C
is
s,
C
os
s,
C
rss
-
Capacitance
-
pF
1
10
100
1000
10000
0.01
0.1
1
10
100
VGS = 0 V
f = 1 MHz
C iss
C oss
C rss
VDS - Drain to Source Voltage – V
t
d(
o
n)
,t
r,
t
d(
off)
,t
f-
Switching
Time
-
ns
1
10
100
1000
0.1
1
10
tr
td(off)
td(on)
tf
VDD = 150 V
VGS = 10 V
RG = 10
Ω
ID - Drain Current - A
REVWESE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
trr
–
Rev
ers
eRec
ov
ery
Ti
me
-ns
10
100
1000
0.1
1
10
di/dt = 50 A/μs
VGS = 0 V
ID - Drain Current - A
V
DS
–
D
rain
to
So
urce
Voltage
-
V
0
100
200
300
400
500
600
700
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VDS
VGS
ID = 7.5 A
VDD = 450 V
300 V
150 V
QG – Gate Chage - nC
V
GS
–
Ga
te
to
So
urce
Voltage
-
V
<R>
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