| 型号: | 2SC6140 |
| 元件分类: | 功率晶体管 |
| 英文描述: | 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装: | ROHS COMPLIANT, 2-10T1A, 3 PIN |
| 文件页数: | 1/5页 |
| 文件大小: | 186K |
| 代理商: | 2SC6140 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC6145AO | 15 A, 260 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC643A | 2.5 A, 1500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2SC941TM-R | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC941TM-O | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC994 | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC6141 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:230V / 15A, AF100W Output Applications |
| 2SC6142 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:High Voltage Switching Applications |
| 2SC6142(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SC6144 | 功能描述:TRANS NPN BIPO 10A 50V TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:* 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC6144SG | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 10A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |