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参数资料
| 型号： | 2SCR512PT100 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | 2SCR512PT100 |
1/4
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.12 - Rev.A
Midium Power Transistors (30V / 2A)
2SCR512P
Structure
Dimensions
(Unit : mm)
NPN Silicon epitaxial planar transistor
Features
1) Low saturation voltage, typically
VCE (sat) = 0.4V (Max.) (IC / IB= 700mA / 35mA)
2) High speed switching
Applications
Driver
Inner circuit
(Unit : mm)
Package
Taping
Code
T100
Basic ordering unit (pieces)
1000
2SCR512P
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
C)
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
VCBO
30
V
Collector-emitter voltage
VCEO
30
V
Emitter-base voltage
VEBO
6V
DC
IC
2A
Pulsed
ICP
4A
PD
0.5
W
PD
2W
Junction temperature
Tj
150
C
Range of storage temperature
Tstg
-55 to 150
C
*1 Pw=10ms, Single Pulse
*2 Each terminal mounted on a recommended land.
*3 Mounted on a ceramic board. (40x40x0.7mm)
Packaging specifications
Type
Parameter
Collector current
Power dissipation
*1
*2
*3
Abbreviated symbol : NB
(1)
(2)
(3)
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
(1)
(3)
(2)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SCR533DTL | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SCR554PT100 | 1500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD0601AQ | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SD0602S | 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SD0661AT | 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SCR512RTL | 功能描述:TRANS NPN 30V 2A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 35mA，700mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:320MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:TSMT3 标准包装:1 |
| 2SCR513P | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (50V / 1A) |
| 2SCR513P_09 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (50V / 1A) |
| 2SCR513P5T100 | 功能描述:NPN 50V 1A MEDIUM POWER TRANSIST 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:360MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 |
| 2SCR513PFRAT100 | 功能描述:NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:360MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 |
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