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参数资料
| 型号： | 2SCR554PT100 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 239K |
| 代理商： | 2SCR554PT100 |
2/4
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.12 - Rev.A
Data Sheet
2SCR554P
Electrical characteristic (Ta = 25
C)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector-emitter breakdown voltage
BVCEO
80
-
V
IC= 1ｍA
Collector-base breakdown voltage
BVCBO
80
-
V
IC= 100μA
Emitter-base breakdown voltage
BVEBO
6-
-
V
IE= 100μA
Collector cut-off current
ICBO
--
1
A VCB= 80V
Emitter cut-off current
IEBO
--
1
A VEB= 4V
Collector-emitter staturation voltage
VCE(sat)
-
100
300
mV IC= -500mA, IB= 25mA
DC current gain
hFE
120
-
390
-
VCE= 3V, IC= 100mA
Turn-on time
ton
-50
-
ns
Storage time
tstg
-
600
-
ns
Fall time
tf
-60
-
ns
*1 See switching time test circuit
-10
Collector output capacitance
Cob
Conditions
Parameter
MHz
300
-
VCE= 10V
IE=-200mA, f=100MHz
Transition frequency
fT
-
pF
VCB= 10V, IE=0A
f=1MHｚ
-
IC= 0.7A,IB1= 70mA,
IB2=-70mA,VCC 10V
*1
~_
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD0601AQ | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SD0602S | 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SD0661AT | 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD661AS | 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD0661T | 100 mA, 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SCR554R | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (80V / 1.5A) |
| 2SCR554RTL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SCR572D3TL1 | 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1 |
| 2SCR573D3TL1 | 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1 |
| 2SCR574D3TL1 | 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:280MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1 |
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