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参数资料
| 型号： | 2SD0874G |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MINIP3-F2, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 210K |
| 代理商： | 2SD0874G |
2SD0874G
3
SJD00336AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
MiniP3-F2
Unit: mm
1.60 ±0.20
4.50 ±0.10
4.00
±
0.20
0.40 ±0.08
0.50 ±0.08
1
2
3
2.60
±
0.10
0.50
max.
3.00 ±0.15
(5
°)
1.50 ±0.10
2.50
±
0.10
0.41 ±0.03
1.50 ±0.10
1.00
±
0.10
(45°)
(5°)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD0874GQ | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD0874GS | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD0958R | 20 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1001EL | 300 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1001EM | 300 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD0874GRL | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 1A MINI-PWR RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD0874Q | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:BJT |
| 2SD0874R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:BJT |
| 2SD0874S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:BJT |
| 2SD0875 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Low-Frequency Power Amplification |
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