型号: | 2SD1012-AP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 165K |
代理商: | 2SD1012-AP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SD1145-AJ | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
2SD1207-AF | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
2SD1207-AE | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
2SD1247-AJ | 2500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
2SD1347-AE | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SD1012F | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAK |
2SD1012F-SPA | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1012F-SPA-AC | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1012G | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAK |
2SD1012G-SPA | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |