型号: | 2SD1012G |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | SPA, 3 PIN |
文件页数: | 3/5页 |
文件大小: | 103K |
代理商: | 2SD1012G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SD1012H | 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1012-H | 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1012F | 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SB808 | 700 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1018M | 4 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SD1012G-SPA | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1012G-SPA-AC | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1012H | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAK |
2SD1015 | 制造商:SONY 制造商全称:Sony Corporation 功能描述:SILICON NPN LEC SYMMETRY TRANSISTOR |
2SD1020 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR |