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参数资料
| 型号： | 2SD1060 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | 2SD1060 |
2SB824 / 2SD1060
No.686-2/5
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)2V, IC=(--)1A
70*
280*
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)3A
30
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
30
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(160)100
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)3A, IB=(--)0.3A
(--)0.4
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)1mA, IE=0A
(--)60
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)1mA, IC=0A
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
0.1
s
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(0.7)1.4
s
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
0.2
s
* : The 2SB824 / 2SD1060 are classified by 1A hFE as follows :
Rank
Q
R
S
hFE
70 to 140
100 to 200
140 to 280
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7507-001
10.2
5.1
4.5
1.3
15.1
14.0
2.7
6.3
3.6
18.0
(5.6)
2.7
1.2
0.8
0.4
2.55
12
3
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-220
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
--10
--8
--6
--4
--2
2SB824
2SD1060
IB=0mA
50mA
100mA
150mA
250mA
300mA
350mA
400mA
500mA
200mA
ITR08436
0
0--0.8
--2.4
--2.0
--0.4
--1.2
--1.6
10
8
6
4
2
0
0.8
2.4
2.0
0.4
1.2
1.6
--50mA
--500mA
--450mA
--4
00mA
--350mA
--300mA
--250mA
--200mA
--150mA
--100mA
IB=0mA
ITR08435
450mA
PW=20
s
tr, tf ≤15ns
VR
100
RB
1
VCC=20V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
10
1
F
1F
IB1
IB2
IC=10IB1= --10IB2=2A
For PNP, the polarity is reversed.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2SD1060L-X-AB3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR |
| 2SD1060L-X-T60-K | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR |
| 2SD1060L-X-T92-B | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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