参数资料
型号: 2SD1115(K)
元件分类: 功率晶体管
英文描述: POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封装: TO-220AB, 3 PIN
文件页数: 1/4页
文件大小: 29K
代理商: 2SD1115(K)
2SD1115(K)
Silicon NPN Triple Diffused
Application
High voltage switching, igniter
Outline
TO-220AB
4.5 k
(Typ)
250
(Typ)
1
2
3
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
1
2
3
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
400
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
300
V
Emitter to base voltage
V
EBO
7V
Collector current
I
C
3A
Collector peak current
I
C(peak)
6A
Collector power dissipation
P
C*
1
40
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value at T
C = 25°C.
相关PDF资料
PDF描述
2SD1115K 3 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD111 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2SD1138D 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1145 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
2SD1145F 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SD1117 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor
2SD1118 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH SPEED SWITCHING
2SD1119 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD11190RL 功能描述:TRANS NPN 25VCEO 3A MINI-PWR RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1119GRL 功能描述:TRANS NPN 25VCEO 3A MINIP-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR