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参数资料
| 型号： | 2SD1137-E |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 139K |
| 代理商： | 2SD1137-E |
2SD2440
2006-11-21
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Co
lle
ct
or
cu
rr
en
t
I
C
(
A
)
Collector current IC (A)
hFE – IC
D
C
cu
rre
nt
gai
n
h
FE
Collector current IC (A)
VBE (sat) – IC
Ba
se-
emi
tte
rsa
tu
rati
on
v
oltage
V
BE
(s
a
t)
(V
)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
Col
lect
or
-e
m
itte
rs
atu
rati
on
vol
tag
e
V
CE
(s
at
)
(
V
)
Pulse width tw (s)
rth (t) – tw
T
ran
si
en
tth
er
ma
lre
si
st
an
ce
r th
(t)
(°
C
/W
)
16
12
8
4
6
4
8
10
2
0
0.2
50 m
2
IB = 5 mA
1
3
0.5
0.3
20 m
0.1
Common emitter
Tc = 25°C
0
12
Tc = 55°C
25
4
6
Common emitter
VCE = 5 V
125
8
0
0.4
1.2
2.4
0.8
1.6
2.0
2
10
Tc = 55°C
25
Common emitter
VCE = 5 V
125
0.01
5
0.1
1
0.03
0.3
3
10
20
3000
30
300
1000
100
10
50
500
10
0.01
3
0.03
0.005
0.1
1
Tc = 125°C
25
55
Common emitter
IC/IB = 5
0.3
1
0.03
0.3
3
0.1
10
20
0.01
Tc = 55°C
25
Common emitter
IC/IB = 5
125
0.01
0.05
0.1
1
0.03
0.3
3
10
20
0.3
3
10
1
0.1
0.5
5
0.1
0.001
0.01
1
10
1
5
10
0.1
3
0.5
0.3
Curves should be applied in
thermal limited area.
Infinite heat sink
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