型号: | 2SD1145F |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | SC-51, 3 PIN |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 27K |
代理商: | 2SD1145F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SD1145 | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
2SD1145G | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1148 | 10 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD114KW | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC4097P | 500 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SD1145G | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-92VAR |
2SD1145G-AE | 制造商:SANYO 功能描述:NPN 20V 0.5A 160 to 560 MP Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 20V 5A TO-226 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
2SD1148 | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
2SD1149 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
2SD11490RL | 功能描述:TRANS NPN LF AMP 100VCEO MINI 3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |