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参数资料
| 型号： | 2SD1159-RB |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4.5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | 2SD1159-RB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1159-RA | 4.5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD1677 | 5 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SD2252-CA | 7 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1684Q | 1.5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1144Q | 1.5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1160 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTORSC-64 50V 2A 1W BCE |
| 2SD1160_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| 2SD1160O | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA |
| 2SD1160Y | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA |
| 2SD1160-Y(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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