参数资料
型号: 2SD1205Q
英文描述: Low-Power, SC70/SOT µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
中文描述: 晶体管|晶体管|达林顿|叩| 25V的五(巴西)总裁| 500mA的一(c)|园区
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代理商: 2SD1205Q
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PDF描述
2SD1205R TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP
2SD1208 Low-Power, SC70/SOT µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SD1209(K) TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
2SD1211R Low-Power, SC70/SOT µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SD1211S TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-51
相关代理商/技术参数
参数描述
2SD1205R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP
2SD1206 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR M-TYPE 30V .1A .4W BCE
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2SD1207R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92VAR
2SD1207S 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2