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参数资料
| 型号： | 2SD1207-U |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | 2SD1207-U |
2SB892 / 2SD1207
No.930-2/5
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1*
VCE=(--)2V, IC=(--)100mA
100
560
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)1.5A
40
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)50mA
150
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(22)12
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
(--0.3)0.15
(--0.7)0.4
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
(--)0.9
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--)60
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)6
V
* : The 2SB892 / 2SD1207 are graded as follows by hFE at 100mA :
Rank
R
S
T
U
hFE
100 to 200
140 to 280
200 to 400
280 to 560
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7520-002
12 3
0.5
0.6
1.45
6.0
4.7
5.0
3.0
1.0
8.5
14.0
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : MP
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
--2.4
--2.0
--1.6
--0.8
--1.2
--0.4
0
--2.4
--1.6
--2.0
--1.2
--0.4
--0.8
2.4
2.0
1.6
0.8
1.2
0.4
0
02.4
1.6
2.0
1.2
0.4
0.8
--2mA
--4mA
--6mA
--8mA
--50mA
2mA
4mA
8mA
50mA
40mA
25mA
15mA
--20mA
--10mA
IB=0mA
ITR08646
IB=0mA
ITR08647
2SB892
2SD1207
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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