- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30577 > 2SD1207T (SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD) 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SD1207T |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MP, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | 2SD1207T |
2SB892 / 2SD1207
No.930-3/5
hFE -- IC
Collector Current, IC -- mA
DC
Current
Gain,
h
FE
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
hFE -- IC
Collector Current, IC -- mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- mA
f T -- IC
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
-
MHz
Collector Current, IC -- mA
f T -- IC
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
-
MHz
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
2SB892
VCE= --2V
ITR08652
100
1000
5
7
3
2
5
7
3
2
10
--100
7
3
25
7
3
25
3
25
--1000
--10
2SD1207
VCE=2V
100
1000
5
7
3
2
5
7
3
2
10
100
7
3
25
7
3
25
3
25
1000
10
ITR08653
2SB892
VCB= --10V
10
100
7
5
3
2
7
5
3
2
1000
--100
--10
25
37
2
5
32
3
7 --1000
2SD1207
VCB=10V
100
10
25
37
2
5
32
3
7 1000
ITR08654
10
100
7
5
3
2
7
5
3
2
1000
ITR08655
0
0.4
0.2
1.2
0.8
1.0
0.6
--2mA
--1mA
--3mA
--4mA
--5mA
--6mA
--7mA
--1200
--1000
--400
--800
--600
--200
0
--12
--8
--10
--6
--2
--4
7mA
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
1200
1000
400
800
600
200
0
--1200
--1000
--400
--800
--600
--200
0
1200
1000
400
800
600
200
0
012
810
6
24
IB=0mA
ITR08648
2SB892
2SD1207
IB=0mA
ITR08649
2SD1207
VCE=2V
ITR08651
0
--0.4
--1.2
--0.8
--1.0
--0.2
--0.6
2SB892
VCE= --2V
ITR08650
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1207-U | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB892T | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1207R | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1207S | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB892S | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1207T-AE | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1207U | 功能描述:TRANS NPN BIPO 2A 50V MP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:* 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1208 | 制造商:SAVANTIC 制造商全称:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2SD1209 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial, Darlington |
| 2SD1209(K) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。