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参数资料
| 型号： | 2SD1238 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 12 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 封装： | TO-3PB, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | 2SD1238 |
2SB922 / 2SD1238
No.1429-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)2V, IC=(--)1A
70*
280*
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)6A
30
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
20
MHz
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)6A, IB=(--)0.6A
(--0.5)0.4
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)1mA, IE=0
(--)120
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)80
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)1mA, IC=0
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified test circuit.
0.2
s
Storage Time
tstg
See specified test circuit.
(0.7)1.7
s
Fall Time
tf
See specified test circuit.
(0.1)0.2
s
*The 2SB922 / 2SD1238 are graded as follows by hFE at 1A :
Rank
Q
R
S
hFE
70 to 140
100 to 200
140 to 280
Swicthing Time Test Circuit
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
0
2
4
6
8
10
12
14
IC -- VCE
IT04448
2SB922
IB=0
IC -- VCE
IT04449
2SD1238
IB=0
--40mA
--20mA
--500mA
--1A
--80mA
--100mA
--200mA
100mA
200mA
20mA
40mA
80mA
500mA
1A
0
IC -- VBE
--2
--4
--6
--8
--10
--14
--12
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
2
0
4
6
8
10
14
12
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
IT04450
2SB922
VCE= --2V
IC -- VBE
IT04451
2SD1238
VCE=2V
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
VR
RB
VCC=50V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL=10
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
IC=10IB1= --10IB2=5A
For PNP, the polarity is reversed.
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