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参数资料
| 型号： | 2SD1262TX |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | 2SD1262TX |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB929AH | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB952TX | 7 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1253H | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB967QZ | 5 A, 18 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB967Z | 5 A, 18 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1263 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATS. TRANS. TO-220AB 400V .75A 35W BCE 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1263/2SD1263A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:2SD1263. 2SD1263A - NPN Transistor |
| 2SD12630P | 功能描述:TRANS NPN 250VCEO 750MA TO-220F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1263A | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification) |
| 2SD1263AP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 750MA I(C) | SOT-186 |
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