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参数资料
| 型号： | 2SD1268P |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 243K |
| 代理商： | 2SD1268P |
2SD1268
2
SJD00182BED
VBE(sat) IC
hFE IC
fT IC
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
Cob VCB
ton, tstg, tf IC
Safe operation area
0
160
40
120
80
0
10
20
30
40
50
Collector
power
dissipation
P
C
(W)
Ambient temperature T
a (°C)
(1)TC=Ta
(2)With a 100
×100×2mm
Al heat sink
(3)With a 50
×50×2mm
Al heat sink
(4)Without heat sink
(PC=2W)
(1)
(2)
(3)
(4)
012
210
48
6
0
1
2
3
5
4
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
TC=25C
IB=100mA
50mA
30mA
25mA
20mA
10mA
2mA
5mA
1mA
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=20
TC=100C
25C
–25C
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
TC=–25C
25C
100C
IC/IB=20
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1 000
10 000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
VCE=2V
TC=100C
25C
–25C
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1 000
10 000
Collector current I
C (A)
Transition
frequency
f
T
(MHz)
VCE=10V
f=10MHz
TC=25C
0.1
1
10
100
1
10
100
1 000
10 000
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
IE=0
f=1MHz
TC=25C
0.01
0.1
1
10
100
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
Turn-on
time
t
on
,
Storage
time
t
stg
,
Fall
time
t
f
(
s)
Collector current I
C (A)
Pulsed tw=1ms
Duty cycle=1%
IC/IB=10(IB1=–IB2)
VCC=50V
TC=25C
tstg
tf
ton
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1 000
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Non repetitive pulse
TC=25C
ICP
IC
t=0.5ms
t=10ms
t=1ms
DC
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1271AR | 7 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2SD1275R | 2 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1275AQ | 2 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1275Q | 2 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1268Q | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-186 |
| 2SD1268R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-186 |
| 2SD1269 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type(For power switching) |
| 2SD12690P | 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 4A TO-220F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1269P | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186 |
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