型号: | 2SD1268Q |
厂商: | PANASONIC CORP |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
封装: | ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3 |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 243K |
代理商: | 2SD1268Q |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SD1268P | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
2SD1271AR | 7 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
2SD1271Q | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
2SD1275R | 2 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
2SD1275AQ | 2 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SD1268R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-186 |
2SD1269 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type(For power switching) |
2SD12690P | 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 4A TO-220F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SD1269P | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186 |
2SD1269Q | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186 |