型号: | 2SD1276R |
英文描述: | Low-Power, SC70/SOT µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay |
中文描述: | 晶体管|晶体管|达林顿|叩| 60V的五(巴西)总裁| 4A条一(c)|的SOT - 186 |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 171K |
代理商: | 2SD1276R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SD1277AP | Low-Power, SC70/SOT µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay |
2SD1277AQ | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 8A I(C) | SOT-186 |
2SD1277AR | Low-Power, SC70/SOT µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay |
2SD1277P | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 8A I(C) | SOT-186 |
2SD1277Q | Low-Power, SC70/SOT µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SD1277 | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
2SD1277/2SD1277A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:2SD1277. 2SD1277A - NPN Transistor Darlington |
2SD12770P | 功能描述:TRANS NPN 60VCEO 8A TO-220F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SD1277A | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
2SD1277AP | 功能描述:TRANS NPN LF 80VCEO 8A TO-220F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |