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参数资料
| 型号： | 2SD1293M/P |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2SD1293M/P |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1507M/Q | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA874MR | 500 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1228MC2/P | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1236TV3P | 1500 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3270M/N | 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1294 | 制造商:WINGS 制造商全称:Wing Shing Computer Components 功能描述:NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR(SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DRIVERS) |
| 2SD1295 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type(For low-frequency output amplification) |
| 2SD12950RL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 1.5A U-G2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1296 | 制造商:JMNIC 制造商全称:Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2SD1297 | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
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