- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录49915 > 2SD1320TX (PANASONIC CORP) 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SD1320TX |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | 2SD1320TX |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1538H | 4 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1070TX | 3 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB929TX | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1250TX | 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1249H | 0.75 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1325 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR TO-220FA 50V 2A 35W BCE |
| 2SD1326 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR TO-220FA 50V 4A 40W BCE |
| 2SD1328 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD132800L | 功能描述:TRANS NPN LV AMP 20VCED MINI 3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD13280RL | 功能描述:TRANS NPN LV AMP 20VCEO MINI 3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。