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参数资料
型号： 2SD1327P
厂商： PANASONIC CORP
元件分类： 功率晶体管
英文描述： 8 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装： TO-220, FULL PACK-3
文件页数： 2/3页
文件大小： 168K
代理商： 2SD1327P
2
Power Transistors
2SD1327
PC —Ta
IC —VCE
VCE(sat) —IC
VBE(sat) —IC
hFE —IC
IC —Lcoil
Area of safe operation (ASO)
Rth(t) —t
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
50
40
30
20
10
(1) T
C=Ta
(2) With a 100
× 100 × 2mm
Al heat sink
(3) With a 50
× 50 × 2mm
Al heat sink
(4) Without heat sink
(P
C=2W)
(1)
(2)
(3)
(4)
Ambient temperature Ta (C)
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
05
4
13
2
0
12
10
8
6
4
2
I
B=4.0mA
T
C=25C
3.5mA
3.0mA
2.5mA
2.0mA
1.5mA
1.0mA
0.5mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
0.1
30
10
1
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
I
C/IB=500
T
C=100C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
0.1
30
10
1
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
I
C/IB=500
25C
100C
T
C=–25C
Collector current I
C
(A)
Base
to
emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
0.1
1
10
100
0.3
3
30
10
30
100
300
1000
3000
10000
30000
100000
V
CE=3V
25C
–25C
T
C=100C
Collector current I
C
(A)
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
0.1
1
10
100
0.3
3
30
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
R
BE=100
T
C=25C
50mJ
Load inductance L
coil
(mH)
Collector
current
I
C
(A
)
1
10
100
1000
3
30
300
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
Non repetitive pulse
T
C=25C
I
CP
I
C
10ms
DC
t=1ms
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
10–4
10
10–3
10–1
10–2
1103
102
104
10–2
10–1
1
10
103
102
(1) Without heat sink
(2) With a 100
× 100 × 2mm Al heat sink
(1)
(2)
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
(t)
(C/W
)
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