- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30579 > 2SD1417 7 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SD1417 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 2SD1417 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1410 | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1548 | 10 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1555 | 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1425 | 2.5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1412 | 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1418DB(TR-E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R |
| 2SD1418DBTR | 制造商:HITACHI 功能描述: |
| 2SD1418DBTR-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R |
| 2SD1423 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1423A | 功能描述:TRANS NPN AF AMP 50V 500MA NEW S RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。