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参数资料
| 型号： | 2SD1418DBTR-E |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-62, UPAK-3 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | 2SD1418DBTR-E |
2SD1418
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 3 of 5
Main Characteristics
150
100
50
Ambient Temperature Ta (°C)
0
1.2
0.8
0.4
Maximum Collector Dissipation Curve
Collector
Power
Dissipation
P
C
(W)
(on
the
alumina
ceramic
board)
8
410
6
2
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Typical Output Characteristics
Collector
Current
I
C
(A)
IB = 0
1
2
5
10
15
20
25
30
35
0.5 mA
00.4
0.8
0.2
0.6
1.0
Base to Emitter Voltage VBE (V)
500
200
100
50
20
5
2
1
10
Typical Transfer Characteristics
Collector
Current
I
C
(mA)
VCE = 5 V
Ta
=
75
°C 25
–
25
10
100
1,000
30
300
3
1
Collector Current IC (mA)
300
250
200
150
100
50
0
DC
Current
Transfer
Ratio
h
FE
DC Current Transfer Ratio vs. Collector Current
VCE = 5 V
Ta = 75°
C
25
–25
10
100
1,000
30
300
3
1
Collector Current IC (mA)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
Base
to
Emitter
Saturation
Voltage
V
BE(sat)
(V)
Collector
to
Emitter
Saturation
Voltage
V
CE(sat)
(V)
Saturation Voltage vs. Collector Current
IC = 10 IB
Pulse
VCE(sat)
VBE(sat)
10
30
100
300
1,000
Collector Current IC (mA)
240
200
160
120
80
40
0
Gain Bandwidth Product vs. Collector Current
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(MHz)
VCE = 5 V
Pulse
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1418DCTR-E | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1419-DE | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1419-DD | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1419DE | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1419DD | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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