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参数资料
| 型号： | 2SD1419DETL-E |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, SC-68, UPAK-3 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | 2SD1419DETL-E |
2SD1419
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 2 of 5
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown voltage
V(BR)CBO
120
—
V
IC = 10
A, IE = 0
Collector to emitter breakdown voltage
V(BR)CEO
100
—
V
IC = 1 mA, RBE =
∞
Emitter to base breakdown voltage
V(BR)EBO
5
—
V
IE = 10
A, IC = 0
Collector cutoff current
ICBO
—
10
A
VCB = 100 V, IE = 0
DC current transfer ratio
hFE1
100
—
200
VCE = 5 V, IC = 150 mA*
1
hFE2
30
—
VCE = 5 V, IC = 500 mA*
1
Collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)
—
1
V
IC = 500 mA, IB = 50 mA*
1
Base to emitter voltage
VBE
—
1.5
V
VCE = 5 V, IC = 150 mA*
1
Gain bandwidth product
fT
—
140
—
MHz
VCE = 5 V, IC = 150 mA*
1
Collector output capacitance
Cob
—
12
—
pF
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
Notes: 1. Pulse test
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1419DE | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1420 | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1420EC | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1420EB | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1423R | 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SD1423ARA | 功能描述:TRANS NPN LF 50VCEO NEW S TYPE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1425 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTORTO-3P 1500V 2.5A 80W BCE |
| 2SD1426 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-247VAR |
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