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参数资料
| 型号： | 2SD1421-ED |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | 2SD1421-ED |
2SD1421
4
Collector to Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current
Collector Current IC (mA)
Collector
to
Emitter
Saturation
Voltage
V
CE
(sat)
(V)
1
3
10
30
100
300
1,000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
IC = 10 IB
Pulse
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
Collector Current IC (mA)
10
30
100
300
1,000
0
40
80
120
160
200
240
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(MHz)
VCE = 5 V
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
Collector
Output
Capacitance
C
ob
(pF)
Collector to Base Voltage VCB (V)
1
2
5
10
20
50
100
2
5
10
20
50
100
200
f = 1 MHz
IE = 0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1421-EE | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1436(K) | 10 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1437FY2 | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD1437DY2 | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD1437EY2 | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SD1423 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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| 2SD1423ARA | 功能描述:TRANS NPN LF 50VCEO NEW S TYPE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1425 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTORTO-3P 1500V 2.5A 80W BCE |
| 2SD1426 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-247VAR |
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