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参数资料
| 型号： | 2SD1421EE |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | UPAK-3 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | 2SD1421EE |
2SD1421
Silicon NPN Epitaxial
ADE-208-1152 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Application
Low frequency power amplifier
Outline
UPAK
1. Base
2. Collector
3. Emitter
4. Collector (Flange)
4
1
2
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1237TV6/PR | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N5460R-STYLE-C | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA |
| 2SB1507-YC | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N72220 | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| 2SC2543-E | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1423 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1423A | 功能描述:TRANS NPN AF AMP 50V 500MA NEW S RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1423ARA | 功能描述:TRANS NPN LF 50VCEO NEW S TYPE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1425 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTORTO-3P 1500V 2.5A 80W BCE |
| 2SD1426 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-247VAR |
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