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参数资料
| 型号： | 2SD1444AP |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 211K |
| 代理商： | 2SD1444AP |
2SD1444A
2
SJD00194AED
VBE(sat) IC
hFE IC
fT IC
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
ton, tstg, tf IC
Safe operation area
0
10
30
20
40
0
150
25
125
50
100
75
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
Ambient temperature T
a (°C)
(1)TC=Ta
(2)With a 100
×100×2mm
Al heat sink
(3)With a 50
×50×2mm
Al heat sink
(4)Without heat sink
(PC=2W)
(1)
(2)
(3)
(4)
06
24
0
6
5
4
3
2
1
IB=45mA
40mA
35mA
30mA
25mA
20mA
15mA
10mA
5mA
TC=25C
Collector
current
I
C
(A
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (A)
IC/IB=20
TC=100C
25C
–25C
0.1
10
1
0.01
0.1
1
10
IC/IB=20
25C
100C
TC=–25C
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
Collector current I
C (A)
0.1
10
1
10
100
1000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
VCE=2V
TC=100C
25C
–25C
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
1000
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Collector current I
C (A)
VCE=10V
f=10MHz
TC=25C
0.01
0.1
1
10
100
05
4
3
2
1
Turn-on
time
t
on
,
Storage
time
t
stg
,
Fall
time
t
f
(
s)
Collector current I
C (A)
Pulsed tw=1ms
Duty cycle=1%
IC/IB=30
(IB1=–IB2)
VCC=20V
TC=25C
tstg
tf
ton
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1000
Collector
current
I
C
(A
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Non repetitive pulse
TC=25C
ICP
IC
t=10ms
t=1ms
DC
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