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参数资料
| 型号： | 2SD1460 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 30 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | 2SD1460 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1468STP | 1000 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1470 | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1471DT | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1471 | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1475O | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1461 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR SC-65430V 5A 80W BCE |
| 2SD1468 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1468R | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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| 2SD1468STPR | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT NPN 15V 1A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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